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【学术预告】多层膜体系中磁斯格明子的产生、调控及器件设计

2021年05月24日 14:38  点击:[]

报 告 人:张森富 研究员

兰州大学 博彩论坛

报告题目:多层膜体系中磁斯格明子的产生、调控及器件设计

时间/地点:2021525日 下午2点 行健楼437

 

报告摘要

 

磁斯格明子是一种具有非平庸拓扑特性的准粒子自旋结构。由于其具有尺寸小、受拓扑保护以及临界驱动电流密度低等优点而在未来高密度、低功耗自旋电子学器件中有巨大的应用价值。多层膜体系中的磁斯格明子可以在室温条件下稳定存在且容易与当前的硅基半导体工艺实现很好的兼容,所以被认为是最有希望应用到器件中的材料体系。本报告将介绍报告人前期关于多层膜体系中磁斯格明子的研究成果,具体包括磁斯格明子的产生方法、结构解析、密度调控、电流调控以及器件设计等。最后将简要介绍当前磁斯格明子研究过程中面临的挑战。

 

报告人简历

 

张森富,兰州大学博彩论坛 青年研究员、硕士生导师。2011年本科毕业于兰州大学。2016年在兰州大学获理学博士学位。20149月到20159月在新加坡南洋理工大学做联合培养博士研究生。博士毕业后至202011月在沙特阿卜杜拉国王科技大学做博士后。20213月加入兰州大学博彩论坛 。近年来围绕磁斯格明子的物理机制、材料探索、多场调控以及器件设计等开展了深入的研究工作并取得了一系列研究成果。在Science Advances, Nature CommunicationsAdvances MaterialsCommunications physicsACS NanoMaterials HorizonsApplied physics Letters等高水平期刊上发表论文38篇。


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